SI5475DC-T1-E3
Electro-Films (EFI) / Vishay
Deutsch
Artikelnummer: | SI5475DC-T1-E3 |
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Hersteller / Marke: | Electro-Films (EFI) / Vishay |
Teil der Beschreibung.: | MOSFET P-CH 12V 5.5A 1206-8 |
Datenblätte: |
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RoHs Status: | Lead free / RoHs compliant |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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VGS (th) (Max) @ Id | 450mV @ 1mA (Min) |
Vgs (Max) | ±8V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse | 1206-8 ChipFET™ |
Serie | TrenchFET® |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 31 mOhm @ 5.5A, 4.5V |
Verlustleistung (max) | 1.3W (Ta) |
Verpackung | Tape & Reel (TR) |
Verpackung / Gehäuse | 8-SMD, Flat Lead |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 1 (Unlimited) |
Bleifreier Status / RoHS-Status | Lead free / RoHS Compliant |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 29nC @ 4.5V |
Typ FET | P-Channel |
FET-Merkmal | - |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 12V |
detaillierte Beschreibung | P-Channel 12V 5.5A (Ta) 1.3W (Ta) Surface Mount 1206-8 ChipFET™ |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 5.5A (Ta) |
SI5475DC-T1-E3 Einzelheiten PDF [English] | SI5475DC-T1-E3 PDF - EN.pdf |
MOSFET P-CH 12V 6A 1206-8
MOSFET P-CH 12V 6A 1206-8
MOSFET P-CH 12V 5.9A 1206-8
MOSFET P-CH 12V 6A 1206-8
VISHAY SOT23-8
MOSFET N-CH 60V 12A PPAK CHIPFET
SI5475DC-T1 VISHAY
MOSFET P-CH 12V 6A 1206-8
MOSFET P-CH 12V 5.5A 1206-8
VISHAY 1206-8
MOSFET P-CH 12V 5.5A 1206-8
SI5475DDC Vishay
MOSFET P-CH 12V 6A 1206-8
VISHAY SOT23-8
MOSFET N-CH 60V 12A PPAK CHIPFET
MOSFET P-CH 12V 6A 1206-8
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2023/12/20
2024/06/19
2024/04/10
2024/09/18
SI5475DC-T1-E3Electro-Films (EFI) / Vishay |
Anzahl*
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Zielpreis (USD)
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